SI7898DP-T1-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deutsch
Artikelnummer: | SI7898DP-T1-E3 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
3000+ | $0.916 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.9W (Ta) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Andere Namen | SI7898DP-T1-E3TR SI7898DPT1E3 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 150V 3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3A (Ta) |
SI7898DP-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] | SI7898DP-T1-E3 PDF - EN.pdf |
SI7900ADN SI
SI7900AEDN SI
SI7892DP-T1 VISHAY
VISHAY QFN-8
SI7898DP-T1 VIHS
VBSEMI QFN8
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
VISHAY QFN8
VISHAY QFN-8
VISHAY VSSOP-8
SI7892DP-T1-GE3 VB
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
VISHAY QFN8
VISHAY PAKSO-8
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
SI7898DP SI
SI7892DP-T1-E3 VISHAT
VISHAY PAKSO-8
VISHAY QFN8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI7898DP-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|